Ítem


Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments

American Institute of Physics

Data: 1 juny 2018
Accés al document: http://hdl.handle.net/2072/311934
Editor: American Institute of Physics
Drets: Tots els drets reservats
Matèria: Amorphous semiconductors
Espectroscòpia Raman
Hidrogenació
Semiconductors amorfs
Silici
Hydrogenation
Raman spectroscopy
Títol: Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments
Tipus: info:eu-repo/semantics/article
Repositori: Recercat

Matèries

Autors